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RFUH30TS6SGC11

RFUH30TS6SGC11

僅供參考

型號 RFUH30TS6SGC11
PNEDA編號 RFUH30TS6SGC11
描述 DIODE GEN PURP 600V 15A TO247
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,648
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RFUH30TS6SGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RFUH30TS6SGC11
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RFUH30TS6SGC11, RFUH30TS6SGC11數據表 (總頁數: 7, 大小: 406.68 KB)
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RFUH30TS6SGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.8V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

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950mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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5µA @ 50V

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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