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RFUS20NS6STL

RFUS20NS6STL

僅供參考

型號 RFUS20NS6STL
PNEDA編號 RFUS20NS6STL
描述 DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 23,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RFUS20NS6STL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RFUS20NS6STL
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RFUS20NS6STL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.8V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝LPDS
工作溫度-結點150°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

120A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

490mV @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 30V

電容@ Vr,F

7400pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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800V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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