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RGF1MHE3_A/H

RGF1MHE3_A/H

僅供參考

型號 RGF1MHE3_A/H
PNEDA編號 RGF1MHE3_A-H
描述 DIODE 1000V SMD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGF1MHE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGF1MHE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RGF1MHE3_A/H, RGF1MHE3_A/H數據表 (總頁數: 4, 大小: 76.28 KB)
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RGF1MHE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型-
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)-
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度-
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

740mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

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