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RGL34AHE3/98

RGL34AHE3/98

僅供參考

型號 RGL34AHE3/98
PNEDA編號 RGL34AHE3-98
描述 DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGL34AHE3/98資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGL34AHE3/98
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RGL34AHE3/98, RGL34AHE3/98數據表 (總頁數: 4, 大小: 76.92 KB)
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RGL34AHE3/98規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 500mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F4pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA (Glass)
供應商設備包裝DO-213AA (GL34)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3300V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 150V

電容@ Vr,F

120pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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