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RGL34JHE3/83

RGL34JHE3/83

僅供參考

型號 RGL34JHE3/83
PNEDA編號 RGL34JHE3-83
描述 DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGL34JHE3/83資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGL34JHE3/83
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RGL34JHE3/83, RGL34JHE3/83數據表 (總頁數: 4, 大小: 76.92 KB)
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RGL34JHE3/83規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 500mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)250ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F4pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA (Glass)
供應商設備包裝DO-213AA (GL34)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

220mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 15V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214BA

供應商設備包裝

DO-214BA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

VS-20TQ045-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2.7mA @ 45V

電容@ Vr,F

1400pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

Axial

工作溫度-結點

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4.5ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

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