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RGP10ME-M3/73

RGP10ME-M3/73

僅供參考

型號 RGP10ME-M3/73
PNEDA編號 RGP10ME-M3-73
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGP10ME-M3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGP10ME-M3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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RGP10ME-M3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

7.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 7.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263 (D2Pak)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Diodes Incorporated

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

700mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 30V

電容@ Vr,F

16pF @ 30V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 80V

電容@ Vr,F

250pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

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