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RGP30JHE3/73

RGP30JHE3/73

僅供參考

型號 RGP30JHE3/73
PNEDA編號 RGP30JHE3-73
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGP30JHE3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGP30JHE3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RGP30JHE3/73, RGP30JHE3/73數據表 (總頁數: 4, 大小: 73.6 KB)
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RGP30JHE3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)250ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.41V @ 4000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

75mA @ 2500V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 10V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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