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RGT00TS65DGC11

RGT00TS65DGC11

僅供參考

型號 RGT00TS65DGC11
PNEDA編號 RGT00TS65DGC11
描述 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT00TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT00TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT00TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)85A
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 50A
功率-最大277W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用94nC
25°C時的Td(開/關)42ns/137ns
測試條件400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)54ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 20A

功率-最大

160W

開關能量

160µJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

97nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/65ns

測試條件

300V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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輸入類型

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門禁費用

143nC

25°C時的Td(開/關)

-/359ns

測試條件

600V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

功率-最大

345W

開關能量

828µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/124ns

測試條件

400V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 15V, 10A

功率-最大

25W

開關能量

600µJ (on), 5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

33nC

25°C時的Td(開/關)

700ns/1.2µs

測試條件

480V, 10A, 1kOhm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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