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RGT30TM65DGC9

RGT30TM65DGC9

僅供參考

型號 RGT30TM65DGC9
PNEDA編號 RGT30TM65DGC9
描述 FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 20,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 26 - 五月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT30TM65DGC9資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT30TM65DGC9
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT30TM65DGC9規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)14A
電流-集電極脈沖(Icm)45A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 15A
功率-最大32W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用32nC
25°C時的Td(開/關)18ns/64ns
測試條件400V, 15A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)55ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220NFM

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電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 35A

功率-最大

350W

開關能量

3.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/180ns

測試條件

960V, 35A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

273W

開關能量

350µJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

109nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/252ns

測試條件

400V, 25A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

46ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 50A

功率-最大

300W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

125nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/180ns

測試條件

300V, 50A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-247

RJH60F5DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

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-

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 40A

功率-最大

260.4W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

53ns/105ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

90ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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