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RGT80TS65DGC11

RGT80TS65DGC11

僅供參考

型號 RGT80TS65DGC11
PNEDA編號 RGT80TS65DGC11
描述 IGBT 650V 70A 234W TO-247N
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT80TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT80TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT80TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 40A
功率-最大234W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用79nC
25°C時的Td(開/關)34ns/119ns
測試條件400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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50A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 25A

功率-最大

200W

開關能量

9.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/450ns

測試條件

960V, 25A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

150µJ (on), 700µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

90nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/150ns

測試條件

480V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

53A

電流-集電極脈沖(Icm)

72A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 24A

功率-最大

200W

開關能量

300µJ (on), 840µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/100ns

測試條件

400V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

70ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 36A

功率-最大

600W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/80ns

測試條件

400V, 36A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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