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RGTH40TK65GC11

RGTH40TK65GC11

僅供參考

型號 RGTH40TK65GC11
PNEDA編號 RGTH40TK65GC11
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 18 - 四月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH40TK65GC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH40TK65GC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH40TK65GC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)23A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 20A
功率-最大56W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用40nC
25°C時的Td(開/關)22ns/73ns
測試條件400V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

74A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

250W

開關能量

380µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

92nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/153ns

測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

75ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 15A

功率-最大

115W

開關能量

136µJ (on), 207µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

81nC

25°C時的Td(開/關)

24.5ns/118ns

測試條件

400V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

103ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

功率-最大

200W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

180nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/500ns

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 50A

功率-最大

536W

開關能量

2.15mJ (on), 1.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

313nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/150ns

測試條件

600V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

281ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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