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RGTH60TK65GC11

RGTH60TK65GC11

僅供參考

型號 RGTH60TK65GC11
PNEDA編號 RGTH60TK65GC11
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH60TK65GC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH60TK65GC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH60TK65GC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)28A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 30A
功率-最大61W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用58nC
25°C時的Td(開/關)27ns/105ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 25A

功率-最大

231W

開關能量

800µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

147nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 28A

功率-最大

250W

開關能量

2.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

92nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/210ns

測試條件

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

功率-最大

310W

開關能量

330µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

160nC

25°C時的Td(開/關)

-/145ns

測試條件

400V, 30A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

90ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

170A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.88V @ 15V, 30A

功率-最大

30W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

40.3nC

25°C時的Td(開/關)

11.2ns/40.8ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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