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RGTH80TS65DGC11

RGTH80TS65DGC11

僅供參考

型號 RGTH80TS65DGC11
PNEDA編號 RGTH80TS65DGC11
描述 IGBT 650V 70A 234W TO-247N
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH80TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH80TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH80TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 40A
功率-最大234W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用79nC
25°C時的Td(開/關)34ns/120ns
測試條件400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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160A

電流-集電極脈沖(Icm)

280A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 70A

功率-最大

961W

開關能量

3.82mJ (on), 2.58mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

544nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/278ns

測試條件

600V, 70A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

160W

開關能量

110µJ (on), 230µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

98nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/100ns

測試條件

480V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

380A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 42A

功率-最大

240W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

72ns/445ns

測試條件

1500V, 42A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

1.7µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

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輸入類型

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門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/95ns

測試條件

400V, 50A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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