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RGTV00TK65GVC11

RGTV00TK65GVC11

僅供參考

型號 RGTV00TK65GVC11
PNEDA編號 RGTV00TK65GVC11
描述 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,524
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTV00TK65GVC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTV00TK65GVC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTV00TK65GVC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)45A
電流-集電極脈沖(Icm)200A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 50A
功率-最大94W
開關能量1.17mJ (on), 940µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用104nC
25°C時的Td(開/關)41ns/142ns
測試條件400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

3.2A

電流-集電極脈沖(Icm)

3.5A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 1A

功率-最大

28W

開關能量

140µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

8.6nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/370ns

測試條件

800V, 1A, 241Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

83ns

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

11A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 7A

功率-最大

33W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 15A

功率-最大

167W

開關能量

510µJ (on), 110µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25.4nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/74ns

測試條件

400V, 15A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

196ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 31A

功率-最大

150W

開關能量

6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/400ns

測試條件

480V, 31A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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