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RGW60TS65DGC11

RGW60TS65DGC11

僅供參考

型號 RGW60TS65DGC11
PNEDA編號 RGW60TS65DGC11
描述 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,968
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGW60TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGW60TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGW60TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 30A
功率-最大178W
開關能量480µJ (on), 490µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用84nC
25°C時的Td(開/關)37ns/114ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)92ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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60A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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7.8A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 3A

功率-最大

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門禁費用

13nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 3A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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IXYS

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

16A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 4A

功率-最大

40W

開關能量

900µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

13.6nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/390ns

測試條件

800V, 4A, 120Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 4A

功率-最大

63W

開關能量

73µJ (on), 47µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/100ns

測試條件

400V, 4A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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