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RJK0451DPB-00#J5

RJK0451DPB-00#J5

僅供參考

型號 RJK0451DPB-00#J5
PNEDA編號 RJK0451DPB-00-J5
描述 MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 9,613
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJK0451DPB-00#J5資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJK0451DPB-00#J5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RJK0451DPB-00#J5規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2010pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK
包裝/箱SC-100, SOT-669

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

430mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1650pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

15W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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