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RM25C512C-LSNI-B

RM25C512C-LSNI-B

僅供參考

型號 RM25C512C-LSNI-B
PNEDA編號 RM25C512C-LSNI-B
描述 IC CBRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC
制造商 Adesto Technologies
單價 請求報價
庫存 6,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 5 - 三月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RM25C512C-LSNI-B資源

品牌 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RM25C512C-LSNI-B
類別半導體內存IC內存
數據表
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RM25C512C-LSNI-B規格

制造商Adesto Technologies
系列Mavriq™
內存類型Non-Volatile
內存格式CBRAM®
技術CBRAM
內存大小512kb (128B Page Size)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁100µs, 5ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

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