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RMLV0808BGSB-4S2#HA0

RMLV0808BGSB-4S2#HA0

僅供參考

型號 RMLV0808BGSB-4S2#HA0
PNEDA編號 RMLV0808BGSB-4S2-HA0
描述 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 30 - 四月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RMLV0808BGSB-4S2#HA0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RMLV0808BGSB-4S2#HA0
類別半導體內存IC內存
數據表
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RMLV0808BGSB-4S2#HA0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間45ns
電壓-供電2.4V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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安裝類型

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內存接口

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訪問時間

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

52MHz

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, QUADP

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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