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RMPG06GHE3_A/73

RMPG06GHE3_A/73

僅供參考

型號 RMPG06GHE3_A/73
PNEDA編號 RMPG06GHE3_A-73
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A MPG06
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RMPG06GHE3_A/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RMPG06GHE3_A/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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RMPG06GHE3_A/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F6.6pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱MPG06, Axial
供應商設備包裝MPG06
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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1000V

電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 267A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micro Commercial Co

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

3000V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

5V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.1µs

當前-反向泄漏@ Vr

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