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RMPG06JHE3_A/54

RMPG06JHE3_A/54

僅供參考

型號 RMPG06JHE3_A/54
PNEDA編號 RMPG06JHE3_A-54
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 264,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RMPG06JHE3_A/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RMPG06JHE3_A/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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RMPG06JHE3_A/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)200ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F6.6pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱MPG06, Axial
供應商設備包裝MPG06
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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90V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

550µA @ 80V

電容@ Vr,F

500pF @ 5V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

6.6pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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