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RMW180N03TB

RMW180N03TB

僅供參考

型號 RMW180N03TB
PNEDA編號 RMW180N03TB
描述 MOSFET N-CH 30V 18A 8PSOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RMW180N03TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RMW180N03TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RMW180N03TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.6mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1250pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PSOP
包裝/箱8-SMD, Flat Lead

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

540mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 540mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

74pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.13W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

440mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 450µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

890pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

310mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1134pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

88mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

255W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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