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RN1101MFV,L3F

RN1101MFV,L3F

僅供參考

型號 RN1101MFV,L3F
PNEDA編號 RN1101MFV-L3F
描述 TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1101MFV資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1101MFV,L3F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
RN1101MFV, RN1101MFV數據表 (總頁數: 8, 大小: 597.02 KB)
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RN1101MFV規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)4.7 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝VESM

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4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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