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RN1108(T5L,F,T)

RN1108(T5L,F,T)

僅供參考

型號 RN1108(T5L,F,T)
PNEDA編號 RN1108-T5L-F-T
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1108(T5L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1108(T5L,F,T)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
RN1108(T5L, RN1108(T5L數據表 (總頁數: 6, 大小: 340.56 KB)
PDFRN1109(T5L數據表 封面
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RN1108(T5L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大100mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SSM

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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