RN1110MFV,L3F
僅供參考
| 型號 | RN1110MFV,L3F |
| PNEDA編號 | RN1110MFV-L3F |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 2,358 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸) |
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RN1110MFV資源
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | RN1110MFV,L3F |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 |
| 數據表 |
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RN1110MFV規格
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列 | - |
| 晶體管類型 | NPN - Pre-Biased |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 100mA |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 50V |
| 電阻-基本（R1） | 4.7 kOhms |
| 電阻-發射極基（R2） | - |
| 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| 當前-集電極截止（最大值） | 100nA (ICBO) |
| 頻率-過渡 | - |
| 功率-最大 | 150mW |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | SOT-723 |
| 供應商設備包裝 | VESM |
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