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RN1505(TE85L,F)

RN1505(TE85L,F)

僅供參考

型號 RN1505(TE85L,F)
PNEDA編號 RN1505-TE85L-F
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 19,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1505(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1505(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

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RN1505(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝SMV

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 12V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz, 280MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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電阻-基本(R1)

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