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RN1707,LF

RN1707,LF

僅供參考

型號 RN1707,LF
PNEDA編號 RN1707-LF
描述 NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,384
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1707資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1707,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

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RN1707規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
電阻-基本(R1)-
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡-
功率-最大-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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頻率-過渡

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

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