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RN2108,LF(CT

RN2108,LF(CT

僅供參考

型號 RN2108,LF(CT
PNEDA編號 RN2108-LF-CT
描述 PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOHM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN2108資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN2108,LF(CT
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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RN2108規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
電阻-基本(R1)-
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡-
功率-最大-
安裝類型-
包裝/箱-
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電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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