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RQ3E110AJTB

RQ3E110AJTB

僅供參考

型號 RQ3E110AJTB
PNEDA編號 RQ3E110AJTB
描述 RQ3E110AJ IS LOW ON-RESISTANCE A
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RQ3E110AJTB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RQ3E110AJTB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RQ3E110AJTB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta), 24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1500pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-HSMT (3.2x3)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

411pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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FET類型

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1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 57W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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