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RQ5E025SNTL

RQ5E025SNTL

僅供參考

型號 RQ5E025SNTL
PNEDA編號 RQ5E025SNTL
描述 RQ5E025SN IS A SMALL SIGNAL MOSF
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RQ5E025SNTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RQ5E025SNTL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RQ5E025SNTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.1nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds165pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSMT3
包裝/箱SC-96

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

145W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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P-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

330mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I2PAK (TO-262)

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2060pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

390W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

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Vgs(最大)

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FET功能

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功耗(最大值)

810mW (Ta)

工作溫度

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