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RQ5E040TNTL

RQ5E040TNTL

僅供參考

型號 RQ5E040TNTL
PNEDA編號 RQ5E040TNTL
描述 RQ5E040TN IS A SMALL SIGNAL MOSF
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 23,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RQ5E040TNTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RQ5E040TNTL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RQ5E040TNTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs48mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.3nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds475pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSMT3
包裝/箱SC-96

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2Ohm @ 850mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AUIRLR2703

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

780mW (Ta), 33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

包裝/箱

8-PowerTDFN

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

450V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

136mA

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20Ohm @ 150mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

740mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

510mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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