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RR1LAM6STR

RR1LAM6STR

僅供參考

型號 RR1LAM6STR
PNEDA編號 RR1LAM6STR
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A PMDTM
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,880
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RR1LAM6STR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RR1LAM6STR
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RR1LAM6STR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-128
供應商設備包裝PMDTM
工作溫度-結點150°C (Max)

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60V

電流-平均整流(Io)

30mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

410mV @ 1mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

120A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 40V

電容@ Vr,F

5200pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Chassis Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

130pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 45V

電容@ Vr,F

579pF @ 5V, 1MHz

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

780ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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