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RR2L6STE25

RR2L6STE25

僅供參考

型號 RR2L6STE25
PNEDA編號 RR2L6STE25
描述 DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RR2L6STE25資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RR2L6STE25
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RR2L6STE25, RR2L6STE25數據表 (總頁數: 7, 大小: 451.96 KB)
PDFRR2L6STE25數據表 封面
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RR2L6STE25規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 2A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝PMDS
工作溫度-結點150°C (Max)

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1000V

電流-平均整流(Io)

700mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

28ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

電容@ Vr,F

-

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