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RS1AHE3_A/I

RS1AHE3_A/I

僅供參考

型號 RS1AHE3_A/I
PNEDA編號 RS1AHE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS1AHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS1AHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RS1AHE3_A/I, RS1AHE3_A/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 84.23 KB)
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RS1AHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 30V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

13µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

350µA @ 60V

電容@ Vr,F

580pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 200V

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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