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RS1ALHM2G

RS1ALHM2G

僅供參考

型號 RS1ALHM2G
PNEDA編號 RS1ALHM2G
描述 DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS1ALHM2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS1ALHM2G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RS1ALHM2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)800mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 800mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.2V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

電容@ Vr,F

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