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RS1DL RUG

RS1DL RUG

僅供參考

型號 RS1DL RUG
PNEDA編號 RS1DL-RUG
描述 DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS1DL RUG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS1DL RUG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RS1DL RUG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)800mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 800mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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Schottky

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電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

60pF @ 10V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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