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RS1GL MTG

RS1GL MTG

僅供參考

型號 RS1GL MTG
PNEDA編號 RS1GL-MTG
描述 DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS1GL MTG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS1GL MTG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RS1GL MTG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)800mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 800mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

830mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

55µA @ 100V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

TMBS®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

20A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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