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RS1JLHRHG

RS1JLHRHG

僅供參考

型號 RS1JLHRHG
PNEDA編號 RS1JLHRHG
描述 DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS1JLHRHG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS1JLHRHG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RS1JLHRHG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)800mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 800mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)250ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 100V

電容@ Vr,F

2pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 9A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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