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RS2BHE3/52T

RS2BHE3/52T

僅供參考

型號 RS2BHE3/52T
PNEDA編號 RS2BHE3-52T
描述 DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS2BHE3/52T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS2BHE3/52T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RS2BHE3/52T, RS2BHE3/52T數據表 (總頁數: 4, 大小: 86.67 KB)
PDFRS2KHE3/52T數據表 封面
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RS2BHE3/52T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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600V

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5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

45pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 110A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 300V

電容@ Vr,F

-

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10V

電容@ Vr,F

6pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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