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RS3G/7T

RS3G/7T

僅供參考

型號 RS3G/7T
PNEDA編號 RS3G-7T
描述 DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS3G/7T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS3G/7T
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RS3G/7T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 2.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F44pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 15A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

93pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 650V

電容@ Vr,F

365pF @ 1V, 100kHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

250V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

970mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 250V

電容@ Vr,F

500pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220-2

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