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RS3GHE3/57T

RS3GHE3/57T

僅供參考

型號 RS3GHE3/57T
PNEDA編號 RS3GHE3-57T
描述 DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS3GHE3/57T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS3GHE3/57T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RS3GHE3/57T, RS3GHE3/57T數據表 (總頁數: 4, 大小: 80.83 KB)
PDFRS3KHE3/57T數據表 封面
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RS3GHE3/57T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 2.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F44pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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Comchip Technology

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

160pF @ 4V, 1MHz

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 220A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

300mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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