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RS3GHM6G

RS3GHM6G

僅供參考

型號 RS3GHM6G
PNEDA編號 RS3GHM6G
描述 DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS3GHM6G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS3GHM6G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RS3GHM6G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)250ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

145ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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TO-263AB

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

3A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

250pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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800V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 9A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

B, Axial

供應商設備包裝

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

860mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

DO-219AB (SMF)

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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