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RSD080P05TL

RSD080P05TL

僅供參考

型號 RSD080P05TL
PNEDA編號 RSD080P05TL
描述 MOSFET P-CH 45V 8A CPT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RSD080P05TL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RSD080P05TL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RSD080P05TL, RSD080P05TL數據表 (總頁數: 7, 大小: 662.23 KB)
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RSD080P05TL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)45V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs91mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs93.4nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11000pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)15W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝CPT3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

225mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

996pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta), 12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 64A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

117nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8410pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

88W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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