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RSFKLHM2G

RSFKLHM2G

僅供參考

型號 RSFKLHM2G
PNEDA編號 RSFKLHM2G
描述 DIODE GEN PURP 800V 500MA SUBSMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RSFKLHM2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RSFKLHM2G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RSFKLHM2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 500mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)500ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 800V
電容@ Vr,F4pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.41V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 400V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

90ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1.2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

18µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

55pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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