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RSH110N03TB1

RSH110N03TB1

僅供參考

型號 RSH110N03TB1
PNEDA編號 RSH110N03TB1
描述 MOSFET N-CH 30V 11A SOP8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RSH110N03TB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RSH110N03TB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RSH110N03TB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs10.7mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 5V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1300pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3710pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

777pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

360mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 200mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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