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RUR1S1560S9A

RUR1S1560S9A

僅供參考

型號 RUR1S1560S9A
PNEDA編號 RUR1S1560S9A
描述 DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,668
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 16 - 一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RUR1S1560S9A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RUR1S1560S9A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RUR1S1560S9A, RUR1S1560S9A數據表 (總頁數: 8, 大小: 645.51 KB)
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RUR1S1560S9A規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)60ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263-3
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

5V @ 250mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1750V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

830mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

55µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

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Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 180A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 40V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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