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RZY200P01TL

RZY200P01TL

僅供參考

型號 RZY200P01TL
PNEDA編號 RZY200P01TL
描述 MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RZY200P01TL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RZY200P01TL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RZY200P01TL, RZY200P01TL數據表 (總頁數: 1, 大小: 284.82 KB)
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RZY200P01TL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)20W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TCPT3
包裝/箱3-SMD, Flat Leads

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23Ohm @ 40mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.4pF @ 10V

FET功能

-

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

151nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.46nC @ 4.5V

Vgs(最大)

8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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