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S10KCHR7G

S10KCHR7G

僅供參考

型號 S10KCHR7G
PNEDA編號 S10KCHR7G
描述 DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,410
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 19 - 十一月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S10KCHR7G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S10KCHR7G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S10KCHR7G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 10A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 800V
電容@ Vr,F60pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

60mA @ 15V

電容@ Vr,F

12300pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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1.25V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 100V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 0V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.45V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

42ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 600V

電容@ Vr,F

120pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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