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S10MC V6G

S10MC V6G

僅供參考

型號 S10MC V6G
PNEDA編號 S10MC-V6G
描述 DIODE GEN PURP 10A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S10MC V6G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S10MC V6G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S10MC V6G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 1000V
電容@ Vr,F60pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

50A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 25A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SRA

供應商設備包裝

SRA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

3.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 40V

電容@ Vr,F

189pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

15V

電流-平均整流(Io)

120A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

390mV @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 15V

電容@ Vr,F

7700pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Chassis Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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