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S12GCHM6G

S12GCHM6G

僅供參考

型號 S12GCHM6G
PNEDA編號 S12GCHM6G
描述 DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,958
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 29 - 一月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S12GCHM6G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S12GCHM6G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S12GCHM6G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 12A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 400V
電容@ Vr,F78pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Chip, Concave Terminals

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.4V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

17ns

當前-反向泄漏@ Vr

6µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 30V

電容@ Vr,F

50pF @ 0V, 1MHz

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