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S12JC M6G

S12JC M6G

僅供參考

型號 S12JC M6G
PNEDA編號 S12JC-M6G
描述 DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,070
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S12JC M6G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S12JC M6G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S12JC M6G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 12A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 600V
電容@ Vr,F78pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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100V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

300pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

90pF @ 4V, 1MHz

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570mV @ 7.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

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速度

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